近日,中科院长春应化所在“高质量无机纳米晶制备及性能研究”方面取得新进展。
无机纳米晶是纳米材料中重要的一类,包括II-VI族半导体、金属氧化物等多种材料,由于它们具有光、电、磁等功能而在发光显示、太阳能电池、生物标记、磁记录等许多领域展示了巨大的应用前景。
中科院长春应化所以扎实的科研积累,针对无机纳米晶制备方法存在的问题,从1998年起探索了多种制备方法,尤其是发展了反应条件温和、实验重复性好的两相法、两相热法合成多种类型的高质量纳米晶,包括II-VI族半导体和金属氧化物等,并深入研究了成核和生长动力学规律。同时利用方法简便、可大量制备的金属有机改进法和模板法制备II-VI族半导体纳米晶,获得了具有自主知识产权的纳米材料制备技术。
长春应化所在深入研究纳米晶成核和生长动力学的基础上,创新性地将两相法(包括常压和高压)首先成功用于II-VI族半导体纳米晶制备,之后拓展到金属氧化物体系。
无机纳米晶是纳米材料中重要的一类,包括II-VI族半导体、金属氧化物等多种材料,由于它们具有光、电、磁等功能而在发光显示、太阳能电池、生物标记、磁记录等许多领域展示了巨大的应用前景。
中科院长春应化所以扎实的科研积累,针对无机纳米晶制备方法存在的问题,从1998年起探索了多种制备方法,尤其是发展了反应条件温和、实验重复性好的两相法、两相热法合成多种类型的高质量纳米晶,包括II-VI族半导体和金属氧化物等,并深入研究了成核和生长动力学规律。同时利用方法简便、可大量制备的金属有机改进法和模板法制备II-VI族半导体纳米晶,获得了具有自主知识产权的纳米材料制备技术。
长春应化所在深入研究纳米晶成核和生长动力学的基础上,创新性地将两相法(包括常压和高压)首先成功用于II-VI族半导体纳米晶制备,之后拓展到金属氧化物体系。