中国粉体网讯 碳化硅作为第三代半导体材料，相比传统的硅（Si）基器件，具有更宽的禁带宽度、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速度和更低的导通阻抗，使其在高压、高温和高频应用中表现出色，能量损失大幅降低，效率显著提高。
减薄是碳化硅材料经历最严酷力学条件的制造工艺之一，伴随材料断裂、去除，并在衬底内部留下损伤，磨粒与衬底接触应力可达GPa级别。衬底、磨头、真空吸盘的位置关系，使其也难有在线实时监测手段对其进行监测，造成工艺开发极为依赖经验。
SiC已从单一功率器件材料升级为全行业系统级能效解决方案的底层支撑，推动着SiC沿着“6英寸量产主导→8英寸加速渗透→12英寸前瞻突破”的路径快速演进。随着晶圆尺寸迭代升级，大尺寸碳化硅存在硬度高、脆性大、加工难度高、整片均匀性差、易产生翘曲与表面缺陷等行业痛点。
大尺寸升级背后，加工装备短板日益凸显—自主可控的全套SiC减薄装备已成为国内产业链的刚性需求。
2026年10月20日，中国粉体网将在江苏•苏州举办“2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会”。届时，我们邀请到北京中电科电子装备有限公司副总经理冷生辉出席本次大会并作题为《大尺寸碳化硅减薄加工进展汇报》的报告。报告将针对性介绍适配大尺寸碳化硅晶圆的减薄方案，通过优化粗精磨，匹配专用耗材与精细化参数控制，有效改善晶圆TTV、翘曲度及表面粗糙度问题，消除亚表层损伤，在保障超高加工精度的同时提升整片加工一致性与量产良率，适配规模化量产需求，有效降低生产成本，助力第三代半导体大尺寸晶圆产业化、高端化发展。
专家简介
冷生辉，现任北京中电科电子装备有限公司副总经理。曾工作于国际知名半导体公司，专注于晶圆键合、减薄、划切及抛光的整体工艺。与多名国际知名专家密切合作，参与国内多项重点课题的研发及国家级实验室建设。
参考来源：
芯系半导体、北京中电科、中国粉体网、天科合达
（中国粉体网编辑整理/山林）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
