创新工艺:合成石英砂及石英材料专利进展


来源:中国粉体网   初末

[导读]  近期,国家知识产权局公布了一系列合成石英砂及高纯合成石英玻璃材料的制备方法。

中国粉体网讯  当前,优质的天然石英矿源日渐稀缺,使得化学合成石英逐渐成为备受关注的解决方案。对于石英玻璃材料来说,受限于石英砂原材料的纯度和熔制方法,天然石英玻璃材料会存在金属杂质含量高、气泡多、光学均匀性较差的情况,因此,高纯合成石英玻璃材料获得广泛关注。


一种高强度人工合成石英的制备方法



江苏鑫华半导体科技股份有限公司公布了一种高强度人工合成石英的制备方法,包括以下步骤,步骤1:得到硅‑铝多组分溶胶;步骤2:将硅‑铝多组分溶胶通过离子交换柱,得到处理液;步骤3:将处理液转入反应釜中,进行搅拌;步骤4:搅拌结束后,静置,得到湿凝胶;步骤5:将湿凝胶用高纯水浸泡并清洗;步骤6:将清洗后的湿凝胶进行干燥,得到干凝胶;步骤7:干凝胶使用辊式破碎机粉碎;步骤8:将干凝胶放入回转炉中进行烧结,得到石英砂;步骤9:将石英砂进行超声清洗,随后干燥;步骤10:将干燥后的石英砂进行焙烧,得到人工合成石英;选择合理的铝源以形成均匀凝胶结构,从而制备高纯度、高均匀性、高强度的合成石英砂。


一种利用硅泥制备高纯合成石英的方法



江苏德鑫新材料科技有限公司公布了一种利用硅泥制备高纯合成石英的方法,包括以下步骤:将硅泥进行水洗,在洗净后的硅泥中加入碱性催化剂与水混合反应,获得混合溶液;将上一步骤所得混合溶液经纳米过滤,除去尺寸较大的碳化硅及金属氧化物固体颗粒,此时滤液组分为小粒径纳米二氧化硅及其他杂质离子。本发明在对硅泥处理时无需使用酸洗的方式对硅泥进行预处理,使得制备过程中无废酸废水排放,工艺简单,对环境友好,且硅泥中杂质采用多级过滤膜组物理依次去除方式分离,分离成本低,且不影响金属氧化物、碳化硅的再回收利用,资源利用更加充分合理,目标高纯合成石英中无碳化硅夹杂,纯度更高。


一种高纯度合成石英砂的制备方法




江苏鑫华半导体科技股份有限公司公布了一种高纯度合成石英砂的制备方法,发明涉及半导体级石英的制备技术领域,具体技术方案如下,水解,在惰性气体氛围中,以盐酸为酸性催化剂,醇和高纯水为溶剂,在加热的条件下,将多聚硅氧烷水解;制备溶胶,在加热的条件下,向水解体系中加入高纯水,形成溶胶;制备凝胶,向溶胶中加入碱性催化剂,静置,获得凝胶;凝胶老化,在加热的条件下,向凝胶中加入硅源和醇,对凝胶进行老化;制备合成石英砂,对老化的凝胶进行干燥、破碎、煅烧,获得所述合成石英砂。本发明基于两步法的溶胶‑凝胶过程中有机硅源、高纯水和乙醇的水解和缩聚过程获得凝胶,同时使用酸、碱催化剂缩短合成周期,最后通过高温焙烧制备高纯合成石英。


一种合成石英及其制备方法


中天科技精密材料有限公司公布了一种合成石英及其制备方法,合成石英对波 长为633nm的光的应力双折射≤1.6nm/cm,对波长为633nm的光的光学非均匀性≤2.1×10-6;厚度为10mm的所述合成石英,对波长为193nm的光的初始内部透过率≥99.6%,对波长为157nm的光的初始内部透过率≥88.3%。该合成石英具有较低的应力双折射以及光学非均匀性,并且在紫外波段以及真空紫外波段皆具有优异的透过率。


一种多喷灯CVD合成大尺寸石英玻璃的方法




江苏亨芯石英科技有限公司公布了一种多喷灯CVD合成大尺寸石英玻璃的方法,包括如下步骤:喷灯点火对炉膛进行预热升温;向每个喷灯通入氢气、氧气和四氯化硅,至炉膛内的温度和压力处于稳定状态;增大每个喷灯的氢气、氧气和四氯化硅的通入流量,驱动承载体旋转并提升至基准点开始沉积至承载体深度的90%;停止外环喷灯的四氯化硅通入,继续在沉积坨表面沉积至目标高度;停止原料通入,自然冷却后卸坨。本发明采用呈内环、中环和外环设置的多组喷灯,喷灯火焰互不干涉,可精确控制炉温分布,提高了大尺寸合成石英坨的均匀性,同时提高了预热效率和沉积效率;控制稳定沉积两个阶段不同环喷灯的原料供应,实现大尺寸合成石英砣的均匀、稳定沉积。


合成石英的制造方法



BCnC股份有限公司公布了合成石英的制造方法,发明涉及作为在半导体制造工艺中使用的聚焦环或边缘环陶瓷构件用来支撑和安置晶圆的用途的合成石英的制造方法,且提供一种通过使时间和量损失最小化且显着增加合成石英生产速度来在产率提高方面有积极效果的圆柱型合成石英制造方法。


一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法



浙江美晶新材料股份有限公司公布了一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法,该制备方法包括:对石英砂成型后的石英坩埚依次进行排气处理、封皮处理、透明层熔制、气泡层熔制和冷却;封皮处理、透明层熔制和气泡层熔制过程中,水冷板与模具口的距离为50~80mm。该制备方法有效减少外界杂质的进入,降低外界对坩埚内部熔融环境的影响,改善了合成石英坩埚R角内表面纯度高的问题。


参考来源:国家知识产权局


(中国粉体网编辑整理/初末)

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