中国粉体网讯 据国家知识产权局公告，近日，隆基绿能为提高硅材料品质申请公布了一系列专利：“石英坩埚及其制备方法、单晶炉”“ 一种单晶炉热场及单晶炉”“一种晶体生长装置和方法以及单晶硅棒”“ 一种单晶硅棒拉制方法、换热装置和单晶硅棒拉制装置”“硅棒的加工方法及装置、电子设备”“ 一种单晶炉引晶时机判断方法、装置及设备”等。
石英坩埚及其制备方法、单晶炉
该发明提供了石英坩埚及其制备方法、单晶炉，涉及单晶硅制备技术领域。方法包括：在模具表面依次铺设外层石英砂和内层石英砂；外层石英砂中，粒度介于50目至200目之间的石英砂的质量含量，大于等于外层石英砂的质量的90％；外层石英砂中，气泡包裹体的体积含量，大于等于外层石英砂的体积的6‰，小于等于10％；外层石英砂中，杂质的含量小于等于50ppm；内层石英砂中，粒度介于50目至200目之间的石英砂的质量含量，大于等于内层石英砂的质量的90％；内层石英砂中，气泡包裹体的体积含量小于等于内层石英砂的体积的5‰；内层石英砂中，杂质的含量小于等于40ppm。本申请大幅度降低了石英坩埚的生产成本。
一种单晶炉热场及单晶炉
该专利提供了一种单晶炉热场及单晶炉，其中，单晶炉热场包括加热器及坩埚，所述加热器绕所述坩埚设置于单晶炉的炉体内，且所述加热器的上沿与所述坩埚的上沿之间的第一高度差为110mm～90mm。本申请实施例提供的单晶炉热场，可以有效缓解加热器对坩埚的腐蚀，降低氧含量，提升拉晶速率，同时减小热量损失，有利于节约生产成本。
一种晶体生长装置和方法以及单晶硅棒
该发明提供了一种晶体生长装置和方法以及单晶硅棒。所述晶体生长装置包括：晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：炉体以及设置在所述炉体内的坩埚、加热器以及保温结构；其中，所述加热器至少部分设置在所述坩埚的侧面，所述保温结构套设在所述加热器外；所述保温结构沿所述炉体径向的厚度满足第一预设范围。该发明的晶体生长装置可以避免被冷却介质带走的能量损耗，实现降功耗的目的，降低所述单晶硅棒的拉制成本。
一种单晶硅棒拉制方法、换热装置和单晶硅棒拉制装置
该申请提供了一种单晶硅棒拉制方法、换热装置和单晶硅棒拉制装置。所述单晶硅棒拉制方法包括：提供主炉体，所述主炉体内装有坩埚、加热器以及换热器，在所述换热器中通入第一介质，所述坩埚盛放有硅料；启动所述加热器将所述硅料熔化成硅液，以在所述硅液中执行拉晶操作，并向所述换热器中通入第二介质。本申请实施例可以提高所述换热器的换热能力，以提高所述单晶硅棒拉制过程中的晶体生长速度，并相应提高所述单晶硅棒的拉制速度。
硅棒的加工方法及装置、电子设备
该发明实施例提供了一种硅棒的加工方法及装置、电子设备，应用于抛光机，该方法包括：在接收到用户输入的目标参数的情况下，将抛光机的进给轴偏置设置为目标参数；基于当前进给轴偏置中的目标参数，对待加工硅棒中的第一硅棒进行加工，得到大于目标上限值的第一硅棒；计算第一尺寸值和加工目标值之间的差值，得到第一修磨量，第一尺寸值为大于目标上限值的第一硅棒的尺寸值；在基于第一修磨量对第一尺寸值的第一硅棒执行修磨操作的情况下，采用第一修磨量对进给轴偏置进行补偿。本发明可以避免由于加工后的硅棒的尺寸过小导致的材料浪费；同时，利用修磨操作的修磨量对进给轴偏置进行补偿，提升了硅棒加工的整体效率。
一种单晶炉引晶时机判断方法、装置及设备
该发明涉及单晶硅技术领域，特别是涉及一种单晶炉引晶时机判断方法、装置及设备。方法包括：在调温阶段，获取连续多帧籽晶的样本图像；在样本图像上设置检测区域，检测区域用于捕捉籽晶的晶点；根据连续多帧样本图像，确定检测区域内籽晶上的晶点生长状态；根据晶点生长状态，确定引晶时机。通过实时采集调温阶段中连续多帧籽晶的样本图像，并在样本图像上设置检测区域，根据连续多帧样本图像，确定检测区域内籽晶上的晶点生长状态，根据晶点生长状态，可以确定引晶时机，该方法可实时检测晶点生长状态，提高引晶时机的及时性、准确性，以及引晶成功率，减少因引晶时机不准导致的断线等异常工时的增加，且避免造成工时浪费，提高硅棒的产能。
参考来源：国家知识产权局，隆基绿能官网
（中国粉体网编辑整理/九思）
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