中国粉体网讯 科友半导体官微消息，科友半导体8英寸SiC中试线在2023年4月正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。
2023年9月，科友首批自产8英寸SiC衬底于科友产学研聚集区衬底加工车间成功下线，这标志着科友在8英寸SiC衬底加工，以及大尺寸衬底产业化方面迈出了坚实一步。
批量生产的8英寸碳化硅晶体
科友首批8英寸碳化硅衬底
科友半导体突破了大尺寸、高厚度、低应力碳化硅晶体制备关键技术，基于设备、原料、热场、工艺方面的优势积累，通过提高原料及气相组分比例稳定性、维持长期生长的稳定温场和浓度场条件、调控晶体生长速率和均匀性，实现了高厚度、低应力6/8英寸碳化硅晶体稳定制备，在6英寸晶体厚度超过40mm的基础上，8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。
此外，低缺陷、高质量是衬底产品的核心竞争力之一。科友半导体通过粉料纯化预结晶处理、应用蒸镀碳化钽（TaC）蒸镀石墨结构件、热场结构设计、籽晶镀膜背保护等多项独家技术，在实现零微管缺陷的基础上进一步降低了位错缺陷密度，6英寸晶体位错缺陷密度＜3000个cm-2，8英寸晶体微管密度＜0.1个cm-2，位错缺陷密度＜5000个cm-2，晶体质量处于行业领先水平。
科友半导体作为一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，已形成自主知识产权，实现先进技术自主可控。同时，科友基于长期自主研发，依次开发了1-4代感应长晶炉和1-3代电阻长晶炉，成为国内第一家同时拥有8英寸感应长晶炉和电阻长晶炉，并成功制备出8英寸碳化硅衬底的企业。
来源：科友半导体、CINNO
（中国粉体网编辑整理/空青）
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