欧盟第七研发框架计划（FP7）信息通讯技术（ICT）主题资助850万欧元的研发项目HELIOS“互补金属氧化物半导体的光电子功能集成”,在近期的研究过程中取得了重大的创造性突破。由法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）科研人员领导的，欧盟成员国法国、英国和比利时科技人员共同参与的研究团队，首次研发出世界上第一个硅基材料可调谐发射器，从而迈出了整体集成硅基发射/接收器（Tranceivers）的关键一步。研究结果在近日美国洛杉矶举行的“2012光纤通讯大会”上，正式对外宣布。
硅光子学是一项功能强大的新兴技术学科，硅光子学具备大规模制造互补金属氧化物半导体（CMOSs）光子器件的潜力，但光子器件制作目前因技术的缺乏而造价昂贵。此外，硅光子学的另一项重要障碍，是作为CMOSs基本材料的硅基光子源，制约了硅光子学的进一步发展。
研究团队的科研人员首先研制出一台新型调节器，利用该调节器制作出单一波长的可调谐激光器，20摄氏度温度下的临界电流20mA，调谐幅度45nm，超过调谐范围的侧模压抑率（Side Mode Suppression Ratio）大于40dB。然后，科研人员将主动发光源必须的CMOS III-V型材料嵌入到一个硅晶片上，进行同时加工处理，如此，两项加工一次性处理完成。尽管加工过程中仍然采用传统的CMOS加工工艺，但新方法可以同时直接将主动发光源嵌入到硅晶片上。
科研人员在硅基材料上集成可调谐激光器、调节器和被动波导的能力，开辟了进一步开发硅基发射/接收器的有效途径，从而满足各方面的需求：大城市群网络、互联网接入、服务器、数据中心、高性能计算机、以及光互联，实现光通讯的彻底变革。
硅光子学是一项功能强大的新兴技术学科，硅光子学具备大规模制造互补金属氧化物半导体（CMOSs）光子器件的潜力，但光子器件制作目前因技术的缺乏而造价昂贵。此外，硅光子学的另一项重要障碍，是作为CMOSs基本材料的硅基光子源，制约了硅光子学的进一步发展。
研究团队的科研人员首先研制出一台新型调节器，利用该调节器制作出单一波长的可调谐激光器，20摄氏度温度下的临界电流20mA，调谐幅度45nm，超过调谐范围的侧模压抑率（Side Mode Suppression Ratio）大于40dB。然后，科研人员将主动发光源必须的CMOS III-V型材料嵌入到一个硅晶片上，进行同时加工处理，如此，两项加工一次性处理完成。尽管加工过程中仍然采用传统的CMOS加工工艺，但新方法可以同时直接将主动发光源嵌入到硅晶片上。
科研人员在硅基材料上集成可调谐激光器、调节器和被动波导的能力，开辟了进一步开发硅基发射/接收器的有效途径，从而满足各方面的需求：大城市群网络、互联网接入、服务器、数据中心、高性能计算机、以及光互联，实现光通讯的彻底变革。
